耐放射線用4H-SiC横型JFETのしきい値制御

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Summary, etc.：: 福島第一原発の廃炉作業において、高放射線によりモニターロボットの半導体イメージセンサが容易に破損するため、イメージセンサを構成するトランジスタには高い耐放射線性が求められている。高温、高放射線環境でも安定した動作が期待できるSiCを用いてチャネル部に酸化膜を持たないJFETを作製することで、高い耐放...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 耐放射線用4H-SiC横型JFETのしきい値制御
Author/Editor: 清水, 奎吾
田中, 保宣
黒木, 伸一郎
牧野, 高紘
武山, 昭憲
大島, 武
Makino, Takahiro
Takeyama, Akinori
Ohshima, Takeshi
Author Heading: 清水, 奎吾
田中, 保宣
黒木, 伸一郎
牧野, 高紘
武山, 昭憲
大島, 武
Makino, Takahiro
Takeyama, Akinori
Ohshima, Takeshi
Publication Date: 2018-11-06
Publication Date (W3CDTF): 2018-11-06
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 先進パワー半導体分科会第5回講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ