ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果

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Material Type: 文書・図像類
Title: ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果
Author/Editor: 武山, 昭憲
清水, 奎吾
牧野, 高紘
山崎, 雄一
大島, 武
黒木, 伸一郎
田中, 保宣
Takeyama, Akinori
Makino, Takahiro
Yamazaki, Yuichi
Ohshima, Takeshi
Author Heading: 武山, 昭憲
清水, 奎吾
牧野, 高紘
山崎, 雄一
大島, 武
黒木, 伸一郎
田中, 保宣
Takeyama, Akinori
Makino, Takahiro
Yamazaki, Yuichi
Ohshima, Takeshi
Publication Date: 2019-09-19
Publication Date (W3CDTF): 2019-09-19
Alternative Title: Gamma-rays irradiation effect of normally-off 4H-SiC JFETs
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 第80回応用物理学会秋季学術講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ