ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果

• Material Type: 文書・図像類
• Title: ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果
• Author/Editor: 武山, 昭憲; 清水, 奎吾; 牧野, 高紘; 山崎, 雄一; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• Author Heading: 武山, 昭憲; 清水, 奎吾; 牧野, 高紘; 山崎, 雄一; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• Publication Date: 2019-09-19
• Publication Date (W3CDTF): 2019-09-19
• Alternative Title: Gamma-rays irradiation effect of normally-off 4H-SiC JFETs
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: ノーマリーオフ型炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET) に室温でガンマ線を5.6MGy(H2O)まで照射し、電気特性の変化を調べた。 照射後試料のドレインリーク電流は10-10A以下の低い電流値に留まっており、ノーマリーオフ動作が維持されていることを確認した。またしきい値電圧の低...