耐放射線UVイメージセンサのためのフル4H-SiC画素デバイス

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 耐放射線UVイメージセンサのためのフル4H-SiC画素デバイス
• Author/Editor: 西垣内, 健汰; 目黒, 達也; 武山, 昭憲; 大島, 武; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; Takeyama, Akinori; Ohshima, Takeshi
• Author Heading: 西垣内, 健汰; 目黒, 達也; 武山, 昭憲; 大島, 武; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; Takeyama, Akinori; Ohshima, Takeshi
• Publication Date: 2019-09-19
• Publication Date (W3CDTF): 2019-09-19
• Alternative Title: Full 4H-SiC Pixel Device s for Radiation-Hardened UV Image Sensors
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 福島第一原発でのデブリ取り出しに向け、耐放射線性に優れるイメージセンサの実現が求められている。炭化ケイ素（SiC）はバンドギャップがシリコンの3倍程度と大きく、耐熱性、耐放射線性に優れているため、高温、高放射線環境下で動作可能な電子デバイスの作製に適した材料できる。本研究では4H型SiC (4H-S...