耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC 画素集積化プロセス

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC 画素集積化プロセス
• Author/Editor: 目黒, 達也; 長谷部, 史明; 武山, 昭憲; 大島, 武; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; Takeyama, Akinori; Ohshima, Takeshi
• Author Heading: 目黒, 達也; 長谷部, 史明; 武山, 昭憲; 大島, 武; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; Takeyama, Akinori; Ohshima, Takeshi
• Publication Date: 2019-09-19
• Publication Date (W3CDTF): 2019-09-19
• Alternative Title: SOI-Si/4H-SiC pixel array fabrication process for radiation hardened image sensors
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 原子力発電所の安全な廃炉プロセス実行のため、耐放射線性の可視光応答型カメラの実現が求められている。現在、一般的に用いられている4H型炭化ケイ素(4H-SiC)は耐放射線性に優れるが、可視光を吸収できない。そこで、駆動部である金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)をSiCで、受光部は...