4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係
• Author/Editor: 楢原, 拓真; 佐藤, 真一郎; 児島, 一聡; 山崎, 雄一; 土方, 泰斗; 大島, 武; Narahara, Takuma; Sato, Shinichiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• Author Heading: 楢原, 拓真; 佐藤, 真一郎; 児島, 一聡; 山崎, 雄一; 土方, 泰斗; 大島, 武; Narahara, Takuma; Sato, Shinichiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• Publication Date: 2019-12-04
• Publication Date (W3CDTF): 2019-12-04
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 4H-SiC中における電子を1個捕獲した窒素・空孔複合欠陥（SiC-NVセンター）は量子センサとしての応用が期待されているが、その効率的な形成条件については明らかになっていない。本研究では、不純物窒素濃度が異なる4H-SiCエピタキシャル膜に対し、様々な条件でのイオンビーム照射を行い、室温および80...