FinFET SRAMにおけるシングルイベント効果

• Material Type: 文書・図像類
• Title: FinFET SRAMにおけるシングルイベント効果
• Author/Editor: 竹内, 浩造; 行松, 和輝; 加藤, 貴志; 坂本, 敬太; 土屋, 佑太; 渡部, 杏太; 松山, 英也; 武山, 昭憲; 大島, 武; 久保山, 智司; 新藤, 浩之; Takeyama, Akinori; Ohshima, Takeshi
• Author Heading: 竹内, 浩造; 行松, 和輝; 加藤, 貴志; 坂本, 敬太; 土屋, 佑太; 渡部, 杏太; 松山, 英也; 武山, 昭憲; 大島, 武; 久保山, 智司; 新藤, 浩之; Takeyama, Akinori; Ohshima, Takeshi
• Publication Date: 2019-12-10
• Publication Date (W3CDTF): 2019-12-10
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): QST高崎サイエンスフェスタ2019
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 従来の平面構造トランジスタでは困難であった、10～サブ10nmオーダの微細化および高集積化を可能にする3次元ゲート構造トランジスタ（FinFET）を用いて、メモリ素子(SRAM（Static random access memory)）を試作し、シングルイベント現象による特性変化を調べた。線幅14/...