SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響

• Material Type: 文書・図像類
• Title: SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響
• Author/Editor: 千葉, 陽史; 山崎, 雄一; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 土方, 泰斗; 大島, 武; Chiba, Yoji; Yamazaki, Yuichi; Sato, Shinichiro; Makino, Takahiro; Yamada, Naoto; Sato, Takahiro; Ohshima, Takeshi
• Author Heading: 千葉, 陽史; 山崎, 雄一; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 土方, 泰斗; 大島, 武; Chiba, Yoji; Yamazaki, Yuichi; Sato, Shinichiro; Makino, Takahiro; Yamada, Naoto; Sato, Takahiro; Ohshima, Takeshi
• Publication Date: 2019-09-20
• Publication Date (W3CDTF): 2019-09-20
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: SiC結晶中シリコン空孔(VSi)の光検出磁気共鳴(ODMR)信号に熱処理温度が及ぼす影響を調べた。600 °Cでの熱処理後、ODMR信号コントラストは最大となった。アニールに対する欠陥の振る舞いと欠陥準位を考慮し、EH3センターといった他の欠陥の減少がコントラストの増加に寄与したと考えられる。(P...