NVセンターの多量⼦ビット化のための⾼窒素含有有機化合物イオ ン注⼊法の⾼度化

• Material Type: 文書・図像類
• Title: NVセンターの多量⼦ビット化のための⾼窒素含有有機化合物イオ ン注⼊法の⾼度化
• Author/Editor: 木村, 晃介; 小野田, 忍; 山田, 圭介; 加田, 渉; 川原田, 洋; 渡邊, 幸志; 磯谷, 順一; 花泉, 修; 大島, 武; Kosuke, Kimura; Shinobu, Onoda; Keisuke, Yamada; Takeshi, Ohshima
• Author Heading: 木村, 晃介; 小野田, 忍; 山田, 圭介; 加田, 渉; 川原田, 洋; 渡邊, 幸志; 磯谷, 順一; 花泉, 修; 大島, 武; Kosuke, Kimura; Shinobu, Onoda; Keisuke, Yamada; Takeshi, Ohshima
• Publication Date: 2020-09-08
• Publication Date (W3CDTF): 2020-09-08
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: ダイヤモンド中の窒素・空孔(NV)センターは室温で優れた磁気光学特性を持つ量子ビットとして知られている。多量子ビット化する方法の一つにイオン注入法が知られている。我々は、4つの窒素を含む有機化合物(C5N4Hn)イオンの注入による3量子ビットの形成を報告した。本研究では、C5N4Hnよりも窒素を多く...