SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定

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Summary, etc.：: 現在、炭化ケイ素(SiC)は結晶多形(ポリタイプ)を持ち、ポリタイプの違いによって物性が異なることが見出されている。この内、4H-SiCはデバイス応用に向けて物理的性質が最も優れている。一方、4H-SiC中における電子を1個捕獲した窒素空孔センタ(NVセンタ)は量子分野への応用が期待されている。従来...

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Material Type: その他
Title: SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定
Author/Editor: 若林, 健
冨高, 祐哉
楢原, 拓真
佐藤, 真一郎
児島, 一聡
大島, 武
Takuma, Narahara
Shinichiro, Sato
Takeshi, Ohshima
Author Heading: 若林, 健
冨高, 祐哉
楢原, 拓真
佐藤, 真一郎
児島, 一聡
大島, 武
Takuma, Narahara
Shinichiro, Sato
Takeshi, Ohshima
Publication Date: 2021-03-17
Publication Date (W3CDTF): 2021
Target Audience: 一般
Note (General): 第68回応用物理学会春季学術講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ