SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定

• Material Type: 文書・図像類
• Title: SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定
• Author/Editor: 若林, 健; 冨高, 祐哉; 楢原, 拓真; 佐藤, 真一郎; 児島, 一聡; 大島, 武; Takuma, Narahara; Shinichiro, Sato; Takeshi, Ohshima
• Author Heading: 若林, 健; 冨高, 祐哉; 楢原, 拓真; 佐藤, 真一郎; 児島, 一聡; 大島, 武; Takuma, Narahara; Shinichiro, Sato; Takeshi, Ohshima
• Publication Date: 2021-03-17
• Publication Date (W3CDTF): 2021-03-17
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第68回応用物理学会春季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 現在、炭化ケイ素(SiC)は結晶多形(ポリタイプ)を持ち、ポリタイプの違いによって物性が異なることが見出されている。この内、4H-SiCはデバイス応用に向けて物理的性質が最も優れている。一方、4H-SiC中における電子を1個捕獲した窒素空孔センタ(NVセンタ)は量子分野への応用が期待されている。従来...