ナノピラー構造を組み込んだEr:O共添加Siダイオードの電気伝導特性およびエレクトロルミネッセンス計測

• Material Type: 文書・図像類
• Title: ナノピラー構造を組み込んだEr:O共添加Siダイオードの電気伝導特性およびエレクトロルミネッセンス計測
• Author/Editor: 古瀬, 遼; 藤本, 宇郁; 魏, 啓楠; 鈴木, 雄大; アブデルガファ, 愛満; 矢野, 真麻; 千葉, 悠貴; Prati, Enrico; Celebrano, Michele; 佐藤, 真一郎; 品田, 高宏; 谷井, 孝至; Shinichiro, Sato
• Author Heading: 古瀬, 遼; 藤本, 宇郁; 魏, 啓楠; 鈴木, 雄大; アブデルガファ, 愛満; 矢野, 真麻; 千葉, 悠貴; Prati, Enrico; Celebrano, Michele; 佐藤, 真一郎; 品田, 高宏; 谷井, 孝至; Shinichiro, Sato
• Publication Date: 2021-03-19
• Publication Date (W3CDTF): 2021-03-19
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第68回応用物理学会春季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: シリコン（Si）中エルビウム（Er）は光通信の最低伝送損失波長である1.5µm帯の光子を放出し、既存のCMOSデバイスと優れた互換性を持つことから、量子暗号通信に必要不可欠な単一光子源として注目されている。しかし、Erの蛍光強度が低いことが課題となる。私たちはSi中Erの発光特性に関する基礎研究を行...