フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性

• Material Type: 文書・図像類
• Title: フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性
• Author/Editor: 黒木, 伸一郎; 西垣内, 健汰; 目黒, 達也; 武山, 昭憲; 大島, 武; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takeshi, Ohshima
• Author Heading: 黒木, 伸一郎; 西垣内, 健汰; 目黒, 達也; 武山, 昭憲; 大島, 武; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takeshi, Ohshima
• Publication Date: 2021-09-11
• Publication Date (W3CDTF): 2021-09-11
• Alternative Title: Operating Characteristics of Full 4H-SiC Pixel Device under UV-Light Irradiation
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第82回応用物理学会秋季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 高放射線下など極限環境で動作可能なイメージセンサとして、耐放射線性に優れた4H-SiCを用いてCMOSイメージセンサ用画素デバイスを試作し、波長290 nmから370 nmの紫外線照射下での動作特性を調べた。 まず作成した4H-SiCフォトダイオードの量子効率を測定したところ、波長290 nmにお...