サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETの キャラクタリゼーション

• Material Type: 文書・図像類
• Title: サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETの キャラクタリゼーション
• Author/Editor: 武山, 昭憲; 牧野, 高紘; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Takeshi, Ohshima
• Author Heading: 武山, 昭憲; 牧野, 高紘; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Takeshi, Ohshima
• Publication Date: 2021-09-23
• Publication Date (W3CDTF): 2021-09-23
• Alternative Title: Characterization of gamma-irradiated 4H-SiC JFETs by illumination of sub-bandgap light
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 第82回応用物理学会秋季学術講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ（SiC JFET）はガンマ線照射による特性劣化が小さい素子として期待されているが、MGyオーダのガンマ線を照射すると、しきい値電圧（Vth）が1V弱正電圧側にシフトする。この原因を探るため、室温付近で欠陥によるキャリア電子の捕獲・放出挙動を調べることが可能である...