放射光その場X線回折による窒化物半導体表面界面のリアルタイム構造解析

Notes on use

Detailed bibliographic record

Summary, etc.：: 私たちは窒化ガリウム（GaN）成長表面がどのような構造をしているのか、その実際の描像を原子レベルで捉えることで、窒化物薄膜成長の基礎学理の構築と、薄膜結晶のさらなる高品質化に向けた成長技術の開発を目指している。とくに分子線エピタキシャル（MBE）成長中のGaN表面は、常に液体Gaによって覆われている...

Search by Bookstore

This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.

Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.

other

QST-Repository
Paper
You can check the holdings of institutions and databases with which Institutional Repositories DataBase(IRDB)(Institutional Repository) is linked at the site of Institutional Repositories DataBase(IRDB)(Institutional Repository).
QST-Repository

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Material Type: 文書・図像類
Title: 放射光その場X線回折による窒化物半導体表面界面のリアルタイム構造解析
Author/Editor: 佐々木, 拓生
Takuo, Sasaki
Author Heading: 佐々木, 拓生
Takuo, Sasaki
Publication Date: 2021-11-05
Publication Date (W3CDTF): 2021-11-05
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 量子ビームによる表面界面の光機能探究研究会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ