SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築

• Material Type: 文書・図像類
• Title: SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築
• Author/Editor: 黒木, 伸一郎; 志摩, 拓真; 目黒, 達也; Van Cuong, Vuong; 武山, 昭憲; 牧野, 高紘; 大島, 武; 児島, 一聡; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Takeshi, Ohshima
• Author Heading: 黒木, 伸一郎; 志摩, 拓真; 目黒, 達也; Van Cuong, Vuong; 武山, 昭憲; 牧野, 高紘; 大島, 武; 児島, 一聡; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Takeshi, Ohshima
• Publication Date: 2022-03-16
• Publication Date (W3CDTF): 2022-03-16
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 電子情報通信学会 総合大会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 半導体集積回路技術の研究開発フロンティアは微細化と 3 次元集積化であるが、シリコンエレクトロニクスは Si の材料物性により使用温度や耐放射線性は制限される。そこで高い熱伝導率とSiの約3倍のバンドギャップを有する材料として、炭化ケイ素（SiC）に着目し集積回路開発を行っている。この集積回路は、車...