シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究

• Material Type: 文書・図像類
• Title: シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究
• Author/Editor: 黒木, 伸一郎; 志摩, 拓真; 目黒, 達也; Van Cuong, Vuong; 武山, 昭憲; 牧野, 高紘; 大島, 武; 児島, 一聡; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Takeshi, Ohshima
• Author Heading: 黒木, 伸一郎; 志摩, 拓真; 目黒, 達也; Van Cuong, Vuong; 武山, 昭憲; 牧野, 高紘; 大島, 武; 児島, 一聡; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Takeshi, Ohshima
• Publication Date: 2022-03-09
• Publication Date (W3CDTF): 2022-03-09
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: シリコンカーバイド（SiC）半導体を用いた極限環境用集積回路およびイメージセンサの研究開発を進めている。これらを用いて、原子力発電所や宇宙開発などで必要とされる耐放射線性を有するとともに、さらに電気自動車（ EV ）や産業用途で求められる高温での駆動が可能なエレクトロニクスの構築を目指している。本発...