ナノドットを電荷保持ノードとする薄膜トランジスタ型不揮発性メモリの研究

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naistar : NAIST Academic Repository
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Material Type: 博士論文
Title: ナノドットを電荷保持ノードとする薄膜トランジスタ型不揮発性メモリの研究
Title Transcription: ナノドットオデンカホジノードトスルハクマクトランジスタガタフキハツセイメモリノケンキュウ
Author/Editor: 市川, 和典
Author Heading: 市川, 和典イチカワ, カズノリ
Publication, Distribution, etc.: 奈良先端科学技術大学院大学
Publication Date: 2008-03-24
Publication Date (W3CDTF): 2008-03-24
Alternative Title: Investigation of thin film transistor typed nonvolatile memory with nano dot
Degree grantor/type: 奈良先端科学技術大学院大学
Date Granted: 2008-03-24
Dissertation Number: 甲第768号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 薄膜トランジスタ
ナノドット
フラッシュメモリ
不揮発性メモリ
フェリチン
Target Audience: 一般
DOI: 10.34413/dr.00768
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 奈良先端科学技術大学院大学 : 奈良先端科学技術大学院大学学術リポジトリnaistar