シリコンカーバイドの絶縁ゲート型電界効果トランジスタに対するアンモニアプラズマ前処理と界面電子物性評価

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Material Type: 博士論文
Title: シリコンカーバイドの絶縁ゲート型電界効果トランジスタに対するアンモニアプラズマ前処理と界面電子物性評価
Title Transcription: シリコンカーバイドノゼツエンゲートガタデンカイコウカトランジスタニタイスルアンモニアプラズママエショリトカイメンデンシブッセイヒョウカ
Author/Editor: 岩崎, 吉記
Author Heading: 岩崎, 吉記イワサキ, ヨシノリ
Publication, Distribution, etc.: 奈良先端科学技術大学院大学
Publication Date: 2010-03-24
Publication Date (W3CDTF): 2010-03-24
Alternative Title: Control and analysis of interface properties in insulator/SiC structures by NH3 plasma pretreatment
Degree grantor/type: 奈良先端科学技術大学院大学
Date Granted: 2010-03-24
Dissertation Number: 甲第941号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Subject Heading: SiC
MOS
C-V
XPS
IPE
Target Audience: 一般
DOI: 10.34413/dr.00941
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 奈良先端科学技術大学院大学 : 奈良先端科学技術大学院大学学術リポジトリnaistar