Development and Analysis of High-Performance SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Phosphorus-Doped Gate Oxide

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Development and Analysis of High-Performance SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Phosphorus-Doped Gate Oxide

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Material Type: 博士論文
Title: Development and Analysis of High-Performance SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Phosphorus-Doped Gate Oxide
Author/Editor: 岡本, 大
Author Heading: 岡本, 大オカモト, ダイ
Publication, Distribution, etc.: Nara Institute of Science and Technology
Publication Date: 2011-03-24
Publication Date (W3CDTF): 2011-03-24
Alternative Title: リンドープゲート酸化膜を用いた高性能SiC金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの作製と解析
リンドープゲートサンカマクオモチイタコウセイノウ SiC キンゾクサンカマクハンドウタイデンカイコウカトランジスタノサクセイトカイセキ
Degree grantor/type: 奈良先端科学技術大学院大学
Date Granted: 2011-03-24
Dissertation Number: 甲第1008号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: eng
Subject Heading: シリコンカーバイド
パワー半導体デバイス
界面準位
MOSFET
SiC
Target Audience: 一般
DOI: 10.34413/dr.01008
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 奈良先端科学技術大学院大学 : 奈良先端科学技術大学院大学学術リポジトリnaistar