不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の特性劣化機構の解明および強誘電体単結晶を利用した圧電素子設計と作製 : 平成17年度実績報告書

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Material Type: 文書・図像類
Title: 不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の特性劣化機構の解明および強誘電体単結晶を利用した圧電素子設計と作製 : 平成17年度実績報告書
Title Transcription: フキハツセイメモリヨウキョウユウデンタイハクマクノトクセイレッカキコウノカイメイオヨビキョウユウデンタイタンケッショウオリヨウシタアツデンソシセッケイトサクセイ
Author/Editor: 塩嵜, 忠
Author Heading: 塩嵜, 忠シオサキ, タダシ
Publication, Distribution, etc.: 奈良先端科学技術大学院大学
Publication Date: 2006
Publication Date (W3CDTF): 2006
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Format (IMT): application/pdf
Source: fulltext （other）
https://naist.repo.nii.ac.jp/record/257/files/R004154.pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 奈良先端科学技術大学院大学 : 奈良先端科学技術大学院大学学術リポジトリnaistar