ラジカル制御を用いた表面反応過程及び薄膜形成に関する研究

• Material Type: 文書・図像類
• Title: ラジカル制御を用いた表面反応過程及び薄膜形成に関する研究
• Author/Editor: 後藤, 俊夫; 河野, 明廣; 堀, 勝; 伊藤, 昌文
• Author Heading: 後藤, 俊夫; 河野, 明廣; 堀, 勝; 伊藤, 昌文
• Publication Date: 1999-03
• Publication Date (W3CDTF): 1999-03
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: Absorption spectroscopy; Amorphous Silicon; CVD; Chemical vapor deposition; Diamond; FT-IR; FT-IRRAS; Plasma; Poly crystalline Silicon; Process; Radical; アモルファスシリコン; ダイヤモンド; プラズマ; プロセス; ラジカル; 吸収分光法; 多結晶シリコン; 赤外半導体レ-ザ吸収分光法
• Target Audience: 一般
• Note (General): 科学研究費補助金 研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:08405005 研究代表者:後藤 俊夫 研究期間:1996-1998年度
• Format (IMT): application/pdf
• Source: 08405005.pdf （fulltext）; https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/11207/files/08405005.pdf
• Access Restrictions: インターネット公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 名古屋大学 : 名古屋大学学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 本研究では、まず水素とシランを原料ガスとするECRプラズマ中の気相の情報と形成された多結晶(微結晶)シリコン薄膜の膜質を系統的に調べた。その結果、特にイオンのフラックスの減少が結晶性の向上に寄与していることが判明した。この知見を基に、絶縁基板上においても中性ラジカルのみで薄膜を形成できるように磁石を...