UHF帯プラズマを用いた次世代大口径機能性薄膜プロセスの開発

• Material Type: 文書・図像類
• Title: UHF帯プラズマを用いた次世代大口径機能性薄膜プロセスの開発
• Author/Editor: 後藤, 俊夫; 河野, 明廣; 堀, 勝; 伊藤, 昌文; 寒川, 誠二; 塚田, 勉
• Author Heading: 後藤, 俊夫; 河野, 明廣; 堀, 勝; 伊藤, 昌文; 寒川, 誠二; 塚田, 勉
• Publication Date: 2000-03
• Publication Date (W3CDTF): 2000-03
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: CVD; Large-scale; Plasma; Polycrystalline Silicon; Process; Radical; Si原子; Thin Film; UHF; アモルファスシリコン; プラズマ; プロセス; ラジカル; 多結晶シリコン; 大口径; 薄膜
• Target Audience: 一般
• Note (General): 科学研究費補助金 研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:09355002 研究代表者:後藤 俊夫 研究期間:1997-1999年度
• Format (IMT): application/pdf
• Source: 09355002.pdf （fulltext）; https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/11212/files/09355002.pdf
• Access Restrictions: インターネット公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 名古屋大学 : 名古屋大学学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: UHFプラズマの大口径機能性薄膜プロセスを開発するために,平成9年度から平成11年度に渡って,次世代の液晶ディスプレイデバイスのための大口径ガラス基板上への多結晶シリコン薄膜の低温堆積技術,ULSI用低誘電率薄膜形成技術について研究・開発を行い,下記の成果が得られた. 1.室温あるいは300℃の低温...