縦型GaNトレンチMOSFETの作製プロセスの確立とスイッチング性能向上に向けた検討

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Material Type: 博士論文
Title: 縦型GaNトレンチMOSFETの作製プロセスの確立とスイッチング性能向上に向けた検討
Author/Editor: 石田, 崇
Author Heading: 石田, 崇
Publication Date: 2023-03-27
Publication Date (W3CDTF): 2023-03-27
Alternative Title: Study on establishment of the fabrication process of a vertical GaN trench MOSFET and increase in its switching performance
Degree grantor/type: 名古屋大学
Date Granted: 2023-03-27
Dissertation Number: 甲第14508号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Format (IMT): application/pdf
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 名古屋大学 : 名古屋大学学術機関リポジトリ