MOVPE法によるGaNの結晶欠陥と電気的特性に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: MOVPE法によるGaNの結晶欠陥と電気的特性に関する研究
Author/Editor: 伊藤, 統夫
Author Heading: 伊藤, 統夫
Alternative Title: MOVPEホウ　ニヨル　GaN　ノ　ケッショウ　ケッカン　ト　デンキテキ　トクセイ　ニカンスル　ケンキュウ
Degree grantor/type: 名古屋工業大学
Date Granted: 2009-03-23
Dissertation Number: 甲第677号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Subject Heading: Ⅲ族窒化物半導体
GaNエピタキシャル薄膜
MOVPE法
Target Audience: 一般
Note (General): 主査：江川　孝志
Format (IMT): application/pdf
Source: https://nitech.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=2888&item_no=1&attribute_id=13&file_no=1 （fulltext）
https://nitech.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=2888&item_no=1&attribute_id=13&file_no=1
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 名古屋工業大学 : 名古屋工業大学学術機関リポジトリ