Si基坂上に分子線エピタキシャル成長したGaAsの電気的特性と深い準位に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: Si基坂上に分子線エピタキシャル成長したGaAsの電気的特性と深い準位に関する研究
Author/Editor: 伊藤, 明
Author Heading: 伊藤, 明
Alternative Title: Si　キバンジョウ　ニ　ブンシセン　エピタキシャル　セイチョウ　シタ　GaAs　ノ　デンキテキ　トクセイ　ト　フカイ　ジュンイ　ニカンスル　ケンキュウ
Degree grantor/type: 名古屋工業大学
Date Granted: 1993-03-23
Dissertation Number: 甲第109号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 分子線エピタキシャル成長
保護膜
熱処理
半導体結晶
Target Audience: 一般
Note (General): 主査：和田　隆夫
DOI: 10.11501/3065270
Format (IMT): application/pdf
Source: https://nitech.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=3268&item_no=1&attribute_id=13&file_no=1 （fulltext）
https://nitech.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=3268&item_no=1&attribute_id=13&file_no=1
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 名古屋工業大学 : 名古屋工業大学学術機関リポジトリ