ボンドエンジニアリングによるⅣ族系混晶原子層物質のマテリアルデザイン

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Note (General)：: application/pdf2017年度～2019年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書17K05056

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Summary, etc.：: SiGe等の二元系混晶原子層膜およびCSiGeおよびSiGeSn等の三元系原子層物質において、これらの混晶における混和性は成長基板による格子拘束により大きく変化し、組成によっては混和性が改善することを見出した。これら原子層物質のバンド構造も計算し、組成に依存して直接遷移型の半導体あるいはグラフェンと...

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Material Type: 文書・図像類
Title: ボンドエンジニアリングによるⅣ族系混晶原子層物質のマテリアルデザイン
Author/Editor: 秋山, 亨
Author Heading: 秋山, 亨アキヤマ, トオル
Publication, Distribution, etc.: 三重大学
Publication Date: 2020-05-15
Publication Date (W3CDTF): 2020-05-15
Alternative Title: Material design of group-IV alloy monolayers using bond engineering concept
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 原子層物質
第一原理計算
2層ハニカム構造
トポロジカル絶縁体
混晶
混和性
III-V族
II-VI族
Target Audience: 一般
Note (General): application/pdf
2017年度～2019年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書
17K05056
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション