窒化物半導体量子ドット形成のボンドエンジニアリング

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Note (General)：: application/pdf2019年度～2021年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書19K05268

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Summary, etc.：: 量子論的アプローチに基づく微視的理論により得た知見を巨視的理論に取り込むことで、量子ドット形成機構ならびに量子ドット創成指針を明らかにした。具体的には微視的理論により評価した表面エネルギーγ、転位エネルギー Ed、転位形成によるエネルギー緩和度αを用いて巨視的理論から成長様式境界を予測することで、量...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 窒化物半導体量子ドット形成のボンドエンジニアリング
Author/Editor: 伊藤, 智徳
秋山, 亨
Author Heading: 伊藤, 智徳
秋山, 亨
Publication, Distribution, etc.: 三重大学
Publication Date: 2022-05-02
Publication Date (W3CDTF): 2022-05-02
Alternative Title: Bond engineering for quantum dot formation in nitride semiconductors
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 量子ドット形成機構
窒化物半導体
計算機シミュレーション
Target Audience: 一般
Note (General): application/pdf
2019年度～2021年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書
19K05268
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション