Siウェハライフタイム測定条件の最適化

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Summary, etc.：: 半導体デバイスの特性と製造工程におけるSi ウェハの性質を包括的に評価する指標として、少数キャリアライフタイムが挙げられる。ライフタイムを正しく評価するためには、表面再結合を抑制し、バルクライフタイムの測定手法を確立する必要がある。本報告では、キンヒドロン-メタノール溶液によるパッシベーションを施し...

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Material Type: 文書・図像類
Title: Siウェハライフタイム測定条件の最適化
Author/Editor: 林, 大吾
酒見, 亮佑
Author Heading: 林, 大吾ハヤシ, ダイゴ
酒見, 亮佑サケミ, リョウスケ
Publication, Distribution, etc.: 九州大学応用力学研究所
Publication Date: 2021-07
Publication Date (W3CDTF): 2021-07
Periodical title: 九州大学応用力学研究所技術室技術室報告
No. or year of volume/issue: 3
Volume: 3
Pages: 8-12
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 半導体
少数キャリアライフタイム
パッシベーション
QSSPC法
Target Audience: 一般
DOI: 10.15017/4482078
Access Restrictions: インターネット公開
Periodical Title (NCID): AA12867474
https://ci.nii.ac.jp/ncid/AA12867474
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 九州大学 : 九州大学学術情報リポジトリ