Si 系バイポーラパワー半導体のダイナミック動作下でのロバスト性に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: Si 系バイポーラパワー半導体のダイナミック動作下でのロバスト性に関する研究
Author/Editor: 中村, 勝光
Author Heading: 中村, 勝光ナカムラ, カツミ
Publication Date: 2020-09-25
Publication Date (W3CDTF): 2020-09-25
Contributor: 西澤, 伸一
柿本, 浩一
中島, 寛
齋藤, 渉
Degree grantor/type: 九州大学
Date Granted: 2020-09-25
Dissertation Number: 17102甲第15215号
Degree Type: 博士（工学）
DOCTOR OF ENGINEERING
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 九州大学 : 九州大学学術情報リポジトリ