絶縁ゲート型電界効果トランジスタの実装応力に起因するDC特性変動評価

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Material Type: 博士論文
Title: 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの実装応力に起因するDC特性変動評価
Title Transcription: ゼツエンゲートガタデンカイコウカトランジスタノジッソウオウリョクニキインスル DC トクセイヘンドウヒョウカ
Author/Editor: 小金丸, 正明
Author Heading: 小金丸, 正明
Publication, Distribution, etc.: 京都大学 (Kyoto University)
Publication Date: 2008-07-23
Publication Date (W3CDTF): 2008-07-23
Contributor: 宮﨑, 則幸
木村, 健二
北條, 正樹
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 2008-07-23
Dissertation Number: 甲第14102号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Engineering
Text Language Code: jpn
Alias of Author: コガネマル, マサアキ
Subject Heading: 電子実装
残留応力
電気特性変動
NDC: 500
Target Audience: 一般
DOI: 10.14989/doctor.k14102
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 京都大学 : 京都大学学術情報リポジトリ