4H-SiC無極性面基板上への同一ポリタイプを有する4H-AlN成長とデバイス応用

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Material Type: 博士論文
Title: 4H-SiC無極性面基板上への同一ポリタイプを有する4H-AlN成長とデバイス応用
Title Transcription: 4H-SiC ムキョクセイメンキバンジョウエノドウイツポリタイプオユウスル 4H-AlN セイチョウトデバイスオウヨウ
Author/Editor: Horita, Masahiro
Author Heading: Horita, Masahiro
Publication, Distribution, etc.: 京都大学 (Kyoto University)
Publication Date: 2009-03-23
Publication Date (W3CDTF): 2009-03-23
Alternative Title: Isopolytypic Growth of Nonpolar 4H-AlN on 4H-SiC and Its Device Applications
Contributor: 木本, 恒暢
野田, 進
川上, 養一
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 2009-03-23
Dissertation Number: 甲第14632号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Engineering
Text Language Code: eng
Alias of Author: 堀田, 昌宏
ホリタ, マサヒロ
Subject Heading: 窒化アルミニウム(AlN)
シリコンカーバイド(SiC)
アイソポリタイプ
結晶成長
分子線エピタキシー
NDC: 500
Target Audience: 一般
DOI: 10.14989/doctor.k14632
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 京都大学 : 京都大学学術情報リポジトリ