SiCパワートランジスタのC-V測定に基づく電力変換回路のための特性評価

Name of awarding university/degree: 京都大学,博士(工学),Doctor of Philosophy (Engineering)

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Material Type: 博士論文
Title: SiCパワートランジスタのC-V測定に基づく電力変換回路のための特性評価
Author/Editor: パンコーン, ナタパット
Author Heading: パンコーン, ナタパット
Publication, Distribution, etc.: 京都大学 (Kyoto University)
Publication Date: 2010-09-24
Publication Date (W3CDTF): 2010-09-24
Alternative Title: Characterization of SiC Power Transistors for Power Conversion Circuits Based on C-V Measurement
Contributor: 引原, 隆士
木本, 恒暢
和田, 修己
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 2010-09-24
Dissertation Number: 甲第15668号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Philosophy (Engineering)
Text Language Code: eng
Subject Heading: SiC
MOSFET
JFET
C-V characteristics
Switching behavior
Device structure
NDC: 500
Target Audience: 一般
DOI: 10.14989/doctor.k15668
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Rights (production): 許諾条件により要旨・本文は2011-09-23に公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 京都大学 : 京都大学学術情報リポジトリ