半導体レーザ用ワイドバンドギャップ化合物半導体のエピタキシャル成長

Name of awarding university/degree: 京都大学,博士(工学),Doctor of Philosophy (Engineering)

Search by Bookstore

This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.

Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.

other

Kyoto University Research Information Repository
Digital
You can check the holdings of institutions and databases with which 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ） is linked at the site of 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）.
Kyoto University Research Information Repository

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Material Type: 博士論文
Title: 半導体レーザ用ワイドバンドギャップ化合物半導体のエピタキシャル成長
Author/Editor: Tsujimura, Ayumu
Author Heading: Tsujimura, Ayumu
Publication, Distribution, etc.: 京都大学 (Kyoto University)
Publication Date: 2012-09-24
Publication Date (W3CDTF): 2012-09-24
Alternative Title: Epitaxial Growth of Wide Bandgap Compound Semiconductors for Laser Diodes
Contributor: 平尾, 一之
田中, 勝久
三浦, 清貴
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 2012-09-24
Dissertation Number: 乙第12695号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Philosophy (Engineering)
Text Language Code: eng
Alias of Author: 辻村, 歩
ツジムラ, アユム
Subject Heading: ZnSe
GaN
laser diode
MBE
MOVPE
epitaxial growth
NDC: 500
Target Audience: 一般
DOI: 10.14989/doctor.r12695
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 京都大学 : 京都大学学術情報リポジトリ