GaN およびAlNの励起子変形ポテンシャルの同定と(Al,Ga)N系歪量子構造の物性予測

Name of awarding university/degree: 京都大学,博士(工学),Doctor of Philosophy (Engineering)

Search by Bookstore

This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.

Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.

other

Kyoto University Research Information Repository
Digital
You can check the holdings of institutions and databases with which 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ） is linked at the site of 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）.
Kyoto University Research Information Repository

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Material Type: 博士論文
Title: GaN およびAlNの励起子変形ポテンシャルの同定と(Al,Ga)N系歪量子構造の物性予測
Author/Editor: 石井, 良太
Author Heading: 石井, 良太
Publication, Distribution, etc.: 京都大学 (Kyoto University)
Publication Date: 2013-03-25
Publication Date (W3CDTF): 2013-03-25
Contributor: 川上, 養一
野田, 進
須田, 淳
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 2013-03-25
Dissertation Number: 甲第17574号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Philosophy (Engineering)
Text Language Code: jpn
Alias of Author: イシイ, リョウタ
Subject Heading: 窒化物半導体
励起子
変形ポテンシャル
GaN
AlN
NDC: 500
Target Audience: 一般
DOI: 10.14989/doctor.k17574
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Rights (production): 許諾条件により要旨・本文は2014-03-25に公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 京都大学 : 京都大学学術情報リポジトリ