ワイドバンドギャップ半導体SiCを用いたフォトニック結晶に関する研究

Name of awarding university/degree: 京都大学,博士(工学),Doctor of Philosophy (Engineering)

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Material Type: 博士論文
Title: ワイドバンドギャップ半導体SiCを用いたフォトニック結晶に関する研究
Author/Editor: 山田, 翔太
Author Heading: 山田, 翔太
Publication, Distribution, etc.: 京都大学 (Kyoto University)
Publication Date: 2013-03-25
Publication Date (W3CDTF): 2013-03-25
Contributor: 野田, 進
木本, 恒暢
川上, 養一
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 2013-03-25
Dissertation Number: 甲第17576号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Philosophy (Engineering)
Text Language Code: jpn
Alias of Author: ヤマダ, ショウタ
NDC: 500
Target Audience: 一般
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 京都大学 : 京都大学学術情報リポジトリ