SiC MOSFETにおける短チャネル効果と移動度向上に関する研究

Name of awarding university/degree: 京都大学,博士(工学),Doctor of Philosophy (Engineering)

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Material Type: 博士論文
Title: SiC MOSFETにおける短チャネル効果と移動度向上に関する研究
Author/Editor: 立木, 馨大
Author Heading: 立木, 馨大タチキ, ケイタ
Publication, Distribution, etc.: Kyoto University
Publication Date: 2022-03-23
Publication Date (W3CDTF): 2022-03-23
Alternative Title: Short Channel Effects and Mobility Improvement in SiC MOSFETs
Contributor: 木本, 恒暢
白石, 誠司
小林, 圭
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 2022-03-23
Dissertation Number: 甲第23905号
Degree Type: 博士(工学)
Doctor of Philosophy (Engineering)
Text Language Code: eng
Subject Heading: SiC
MOSFET
Interface State Density
Channel Mobility
Passivation
NDC: 500
Target Audience: 一般
Note (General): 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
DOI: 10.14989/doctor.k23905
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Rights (production): 許諾条件により本文は2023-03-22に公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 京都大学 : 京都大学学術情報リポジトリ