結晶成長及びプロセスにより導入されるワイドバンドギャップ半導体GaN及びSiC中の深い準位

• Material Type: 博士論文
• Title: 結晶成長及びプロセスにより導入されるワイドバンドギャップ半導体GaN及びSiC中の深い準位
• Author/Editor: 鐘ケ江, 一孝
• Author Heading: 鐘ケ江, 一孝 カネガエ, カズタカ
• Publication, Distribution, etc.: Kyoto University
• Publication Date: 2022-03-23
• Publication Date (W3CDTF): 2022-03-23
• Alternative Title: Growth and Process-Induced Deep Levels in Wide Bandgap Semiconductor GaN and SiC
• Contributor: 木本, 恒暢; 川上, 養一; 安藤, 裕一郎
• Degree grantor/type: 京都大学
• Date Granted: 2022-03-23
• Dissertation Number: 甲第23909号
• Degree Type: 博士(工学); Doctor of Philosophy (Engineering)
• Text Language Code: eng
• Subject Heading: Wide Bandgap Semiconductor; Gallium Nitride; Silicon Carbide; Deep Level; Capacitance Transient Spectroscopy; Defect
• NDC: 500
• Target Audience: 一般
• Note (General): 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
• DOI: 10.14989/doctor.k23909
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: インターネット公開
• Rights (production): 許諾条件により本文は2023-03-23に公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 京都大学 : 京都大学学術情報リポジトリ

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