A study of degradation mechanism of In-Ga-Zn-O thin-film transistor under negative bias-illumination stress and positive bias stress for highly reliable display devices.

• Material Type: 博士論文
• Title: A study of degradation mechanism of In-Ga-Zn-O thin-film transistor under negative bias-illumination stress and positive bias stress for highly reliable display devices.
• Author/Editor: MAI, Phi Hung
• Author Heading: MAI, Phi Hung
• Publication, Distribution, etc.: 高知工科大学
• Publication Date: 2015-09
• Publication Date (W3CDTF): 2015-09
• Alternative Title: 酸化物半導体薄膜トランジスタの信頼性劣化メカニズムと高信頼性ディスプレイへの応用に関する研究
• Contributor: 古田,守
• Degree grantor/type: 高知工科大学
• Date Granted: 2015-09-30
• Dissertation Number: 甲第280号
• Degree Type: 博士（工学）
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Note (General): identifier:高知工科大学, 博士論文.
• Access Restrictions: インターネット公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 高知工科大学 : 高知工科大学学術情報リポジトリ

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