多結晶シリコンの低温成長および薄膜トランジスタへの応用に関する基礎的研究

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Note (General)：: 000000299744取得学位：博士(工学)，学位授与番号：博乙第98号，学位授与年月日：平成7年9月26日,学位授与年：1995

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Material Type: 文書・図像類
Title: 多結晶シリコンの低温成長および薄膜トランジスタへの応用に関する基礎的研究
Author/Editor: 毛利, 幹雄
Author Heading: 毛利, 幹雄
Publication, Distribution, etc.: 金沢大学
Publication Date: 1996-06-01
Publication Date (W3CDTF): 1996-06-01
Alternative Title: Study on low-temperature preparation of poly-Si and its application to thin fulm transistors
Periodical title: 博士学位論文要旨　論文内容の要旨および論文審査結果の要旨／金沢大学大学院自然科学研究科
No. or year of volume/issue: 平成8年6月
Volume: 平成8年6月
Pages: 223-226
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 000000299744
取得学位：博士(工学)，学位授与番号：博乙第98号，学位授与年月日：平成7年9月26日,学位授与年：1995
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA