V族ナノ薄膜の第一原理シミュレーション

Material type: 文書・図像類

Author: 斎藤, 峯雄ほか

Publisher: 金沢大学理工研究域数物科学系

Publication date: 2009-05-20

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

NDC: -

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Note (General)：: 本研究では、ナノ薄膜化することで、バルクとは異なり有用な物性を発現すると考えられるV属系材料の第1原理シミュレーションを行った。Si(111)表面上でBiは極めて平坦な膜を生じるが、その初期過程では、バルク構造とは、異なる黒リン型構造を示す。この構造には、表面にバックリングがあるものと無いものの二つ...

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Material Type: 文書・図像類
Title: V族ナノ薄膜の第一原理シミュレーション
Author/Editor: 斎藤, 峯雄
Saito, Mineo
Author Heading: 斎藤, 峯雄
Saito, Mineo
Publication, Distribution, etc.: 金沢大学理工研究域数物科学系
Publication Date: 2009-05-20
Publication Date (W3CDTF): 2009-05-20
Alternative Title: First-principles simulation of V-group nanofilms
Periodical title: 平成20(2008)年度科学研究費補助金基盤研究(C) 研究成果報告書 = 2008 Fiscal Year Final Research Report
No. or year of volume/issue: 2007-2008
Volume: 2007-2008
Pages: 5p.-
Text Language Code: jpn
Subject Heading: ナノ材料
計算物理
Target Audience: 一般
Note (General): 本研究では、ナノ薄膜化することで、バルクとは異なり有用な物性を発現すると考えられるV属系材料の第1原理シミュレーションを行った。Si(111)表面上でBiは極めて平坦な膜を生じるが、その初期過程では、バルク構造とは、異なる黒リン型構造を示す。この構造には、表面にバックリングがあるものと無いものの二つがあり双安定な関係のあることを結論し、今後の実験研究に示唆を与えた。また、リン薄膜は、バルク同様の構造を取り、バックリングがなく、膜厚増大ととともに、バンドギャップが減少し、バルクの電子構造に近づく事が結論された。
研究課題/領域番号:19560021, 研究期間(年度):2007-2008
出典：「V族ナノ薄膜の第一原理シミュレーション」研究成果報告書　課題番号19560021（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-19560021/19560021seika/)を加工して作成
DOI: 10.24517/00052253
Access Restrictions: 限定公開
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https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560021/
https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-19560021/19560021seika/
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA