SOI導波路上単一モード半導体薄膜レーザに関する研究

Material type: 文書・図像類

Author: 丸山, 武男ほか

Publisher: 金沢大学理工研究域電子情報通信学系

Publication date: 2009-05-25

Material Format: Digital

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NDC: -

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Note (General)：: チップ間光インターコネクションを行うためには、電子デバイスと光デバイスとをチップ内に集積する必要があり、そのための技術開発が急務となる。本研究は、これまで半導体レーザとして実績のあるIII-V族化合物半導体(GaInAsP/InP)をSOI基板に直接貼り付けることによりシリコンLSI上での集積化に適...

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Material Type: 文書・図像類
Title: SOI導波路上単一モード半導体薄膜レーザに関する研究
Author/Editor: 丸山, 武男
Maruyama, Takeo
Author Heading: 丸山, 武男
Maruyama, Takeo
Publication, Distribution, etc.: 金沢大学理工研究域電子情報通信学系
Publication Date: 2009-05-25
Publication Date (W3CDTF): 2009-05-25
Alternative Title: Research of single mode semiconductor membrane laser on SOI waveguide
Periodical title: 平成20(2008)年度科学研究費補助金若手研究(B) 研究成果報告書 = 2008 Fiscal Year Final Research Report
No. or year of volume/issue: 2007-2008
Volume: 2007-2008
Pages: 6p.-
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 半導体レーザ
集積レーザ
シリコンフォトニクス
光集積回路
分布帰還形レーザ
ウエハボンディング
光導波路
Target Audience: 一般
Note (General): チップ間光インターコネクションを行うためには、電子デバイスと光デバイスとをチップ内に集積する必要があり、そのための技術開発が急務となる。本研究は、これまで半導体レーザとして実績のあるIII-V族化合物半導体(GaInAsP/InP)をSOI基板に直接貼り付けることによりシリコンLSI上での集積化に適した単一モード半導体レーザの作製を行った。その結果、SOI基板上への光励起における単一モード発振および高温(80℃)動作、さらに電流注入構造を試作し、LEDおよびレーザ発振を実現した。
研究課題/領域番号:19760231, 研究期間(年度):2007-2008
出典：「SOI導波路上単一モード半導体薄膜レーザに関する研究」研究成果報告書　課題番号19760231（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-19760231/19760231seika/)を加工して作成
DOI: 10.24517/00052485
Access Restrictions: 限定公開
Related Material: https://kaken.nii.ac.jp/search/?qm=60345379
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760231/
https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-19760231/19760231seika/
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA