ナフトジチオフェンジイミド(NDTI) を基盤とする有機半導体分子の開発

Material type: 文書・図像類

Author: 中野, 正浩ほか

Publisher: -

Publication date: 2016-05-23

Material Format: Digital

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NDC: -

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Note (General)：: 金沢大学理工研究域物質化学系 / 理化学研究所有機半導体は軽量、柔軟、溶媒に可溶であるなどの特徴から、ウェアラブル機器やプリンタブルデバイスなどの次世代型デバイスへの応用が期待されている。最近では、無機材料であるアモルファスシリコンを上回る高い電荷移動度を示すp型有機半導体分子が報告されている。しか...

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Material Type: 文書・図像類
Title: ナフトジチオフェンジイミド(NDTI) を基盤とする有機半導体分子の開発
Author/Editor: 中野, 正浩
Nakano, Masahiro
Author Heading: 中野, 正浩
Nakano, Masahiro
Publication Date: 2016-05-23
Publication Date (W3CDTF): 2016-05-23
Alternative Title: Development of Napthodithiophenediimide(NDTI)-based organic semiconducting materials
Periodical title: 平成27(2015)年度科学研究費補助金若手研究(B) 研究成果報告書 = 2015 Fiscal Year Final Research Report
No. or year of volume/issue: 2014-04-01 - 2016-03-31
Volume: 2014-04-01 - 2016-03-31
Pages: 4p.-
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 有機半導体
n型材料
両極性材料
有機トランジスタ
有機薄膜太陽電池
有機熱電変換
Target Audience: 一般
Note (General): 金沢大学理工研究域物質化学系 / 理化学研究所
有機半導体は軽量、柔軟、溶媒に可溶であるなどの特徴から、ウェアラブル機器やプリンタブルデバイスなどの次世代型デバイスへの応用が期待されている。最近では、無機材料であるアモルファスシリコンを上回る高い電荷移動度を示すp型有機半導体分子が報告されている。しかし、n型材料分子についてはいまだ開発が遅れているのが現状である。本研究ではナフトジチオフェンジイミド(NDTI)を用いたn型半導体材料の開発を目的とし、有機トランジスタ、有機薄膜太陽電池、相補型インバータ、有機熱電発電デバイスに有用な材料を種々報告した。
Organic semiconducting material is a key for the development of next-generation electronic devices, such as wearable and printable devices, owing to its high flexibility, lightweight, and ease of processing. Nowadays, p-type semiconducting materials with high mobility which is higher than that of amorphous silicon. On the other hand, the mobility of n-type semiconducting materials are still limited.The purpose of this project is to develop n-type organic semiconducting materials with high-performance using naphthodithiophene diimide (NDTI) to apply them in organic fileld effect transistor (OFET), organic photovoltaics (OPV), and CMOS-like logic circuits. As a result, NDTI-based n-type OFET and OPV materials wigh good mobilty or photocurrent efficiency were reported. Moreover we also developted NDTI-based conducting materials with high conductivity for thermoelectric devices.
研究課題/領域番号:26810109, 研究期間(年度):2014-04-01 - 2016-03-31
DOI: 10.24517/00056674
Access Restrictions: 限定公開
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Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA