電子ビーム誘起効果を用いた選択成長によるナノファブリケーション

Material type: 文書・図像類

Author: 森本, 章治ほか

Publisher: -

Publication date: 2016-04-21

Material Format: Digital

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Note (General)：: 金沢大学理工研究域電子情報通信学系高集積電子デバイス実現のためにはナノファブリケーション技術が必要である。本研究では、炭化水素膜と電子ビームを用いることにより、金属薄膜の選択成長によるナノサイズ配線を目指し、Si基板及び配線基板として重要な石英ガラス基板上への選択成長を試み、その基礎特性を調べた。基...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 電子ビーム誘起効果を用いた選択成長によるナノファブリケーション
Author/Editor: 森本, 章治
Morimoto, Akiharu
Author Heading: 森本, 章治
Morimoto, Akiharu
Publication Date: 2016-04-21
Publication Date (W3CDTF): 2016-04-21
Periodical title: 平成16(2004)年度科学研究費補助金萌芽研究研究概要 = 2004 Research Project Summary
No. or year of volume/issue: 2003 – 2004
Volume: 2003 – 2004
Pages: 2p.-
Text Language Code: jpn
Subject Heading: ナノファブリケーション技術
炭化水素膜
電子ビーム
金属薄膜の選択成長
ナノサイズ配線
Si基板
石英ガラス基板
マスクのパターン描画
電子ビーム誘起効果
選択成長
ナノファブリケーション
有機薄膜
成長核
ステンシルマスク
紫外線ナノ秒パルスレーザ光
レーザリフトオフ法
Target Audience: 一般
Note (General): 金沢大学理工研究域電子情報通信学系
高集積電子デバイス実現のためにはナノファブリケーション技術が必要である。本研究では、炭化水素膜と電子ビームを用いることにより、金属薄膜の選択成長によるナノサイズ配線を目指し、Si基板及び配線基板として重要な石英ガラス基板上への選択成長を試み、その基礎特性を調べた。基板には石英ガラス基板またはSi基板、炭化水素膜にはアピエゾンワックスを使用した。具体的には、(1)基板の上に炭化水素膜を堆積しその上にマスクを乗せる、(2)マスクを通して電子ビームを照射する、(3)電子ビームを止めてマスクを取り外す、(4)Zn蒸気を照射し選択成長させる、という順序で実験を進めた。選択成長の達成には、電子ビーム照射条件と共に、Zn堆積速度が極めて重要である。そこで、タングステンフィラメントの加熱時間、加熱電圧を変化させZn蒸発量を最適化し、選択成長のための最適値として、電圧6.0V、加熱時間5分とした。まずマスク無しで、チャージアップしにくいSi上でZn薄膜の選択成長を確認した。同じ作製条件でさらに、石英ガラス基板上で実験したところ、電子ビームを照射した領域にのみ再現性よくZn薄膜が付着した。これは、電子ビームによりZn蒸気の選択成長ができたことを示している。実用化のためのプロセスを考慮して、電子ビーム照射後基板を一度、僅かに大気の混入した窒素雰囲気にさらした後、石英ガラス基板上での選択成長を試みた。その結果、問題なく選択成長ができているのが分かった。最後に40μmシートメッシュのマスクを使用して、Si基板及び石英ガラス基板上でZnの選択成長を試みたところ、マスクのパターンを描画することに成功した。電子ビーム照射を用いて40μm□のマスクパターンを新しい手法により描画した。条件を最適化することにより原理的にはナノメータレベルの描画も可能であると考えられる。
研究課題/領域番号:15651049, 研究期間(年度):2003 – 2004
出典：「電子ビーム誘起効果を用いた選択成長によるナノファブリケーション」研究成果報告書　課題番号15651049（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））（https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-15651049/)を加工して作成
DOI: 10.24517/00060439
Source: https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=54162&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=54162&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
Access Restrictions: 限定公開
Rights (production): CC BY-NC-ND
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https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-15651049/
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA