強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出

Material type: 文書・図像類

Author: 川江, 健ほか

Publisher: -

Publication date: 2020-05-26

Material Format: Digital

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Note (General)：: 金沢大学理工研究域電子情報通信学系本研究では、ワイドギャップ半導体ダイヤモンドに対し、強誘電体をゲートとした電界効果トランジスタ（FeFET）構造を形成し、従来型パワーデバイスに比する優位性について検証を行った。強誘電体ゲートを用いたダイヤモンドチャネルの電圧変調において、電流ON/OFF比10E+...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出
Author/Editor: 川江, 健
Kawae, Takeshi
Author Heading: 川江, 健
Kawae, Takeshi
Publication Date: 2020-05-26
Publication Date (W3CDTF): 2020-05-26
Alternative Title: Fabrication of low-loss diamond power FET using giant poralization of ferroelectrics
Periodical title: 令和1(2019)年度科学研究費補助金基盤研究(B) 研究成果報告書 = 2019 Fiscal Year Final Research Report
No. or year of volume/issue: 2017-04-01 - 2020-03-31
Volume: 2017-04-01 - 2020-03-31
Pages: 7p.-
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 電界効果トランジスタ
ワイドギャップ半導体
パワーデバイス
ダイヤモンド
強誘電体
Electron device
Electronic equipment
Target Audience: 一般
Note (General): 金沢大学理工研究域電子情報通信学系
本研究では、ワイドギャップ半導体ダイヤモンドに対し、強誘電体をゲートとした電界効果トランジスタ（FeFET）構造を形成し、従来型パワーデバイスに比する優位性について検証を行った。強誘電体ゲートを用いたダイヤモンドチャネルの電圧変調において、電流ON/OFF比10E+8を実証するに至った。また、強誘電体ゲートの残留分極を利用したダイヤモンドFeFETの疑似ノーマリオフ動作に関して、現在までに最長70時間に至るオフ状態の保持を実証した。以上の結果は、強誘電体をゲートにより実現したパワーFETの新動作原理を示したものであり、今後、当該構造を利用したパワーデバイス開発に資するものと考える。
In this study, for wide-gap semiconductor diamond, we proposed the creation of field-effect transistor structure with a ferroelectric gate (FeFET), and investigated its superiority to conventional power devices.We have demonstrated a current ON/OFF ratio of 10E+8 of diamond channel due to the modulation of huge amount of carrier by applying the gate voltage. In addition, about the pseudo normally-off operation of diamond FeFET using the remnant polarization of the ferroelectric gate, it has been demonstrated that the off-state can be maintained for up to 70 hours.The above results indicate the new operating principle of a power FET realized by a ferroelectric gate, and are considered to contribute to the development of power devices using this structure in the future.
研究課題/領域番号:17H03248, 研究期間(年度):2017-04-01 - 2020-03-31
出典：「強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出」研究成果報告書　課題番号17H03248（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H03248/17H03248seika/)を加工して作成
DOI: 10.24517/00057872
Access Restrictions: 限定公開
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https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H03248/17H03248seika/
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA