スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究

Material type: 文書・図像類

Author: 畑, 朋延ほか

Publisher: -

Publication date: 2003-09-16

Material Format: Digital

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NDC: -

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Note (General)：: 金沢大学工学部制限反応スパッタリングと名付けた新しいスパッタリング法を研究開発した.この技法を用いて,次世代MOSFET用ゲート絶縁膜としてZrO2誘電体膜を形成した.Si基板表面の酸化が抑制され20を越える高い比誘電率が得られた.酸化物ターゲットを用いた通常のスパッタリング法では酸素イオンや活性種...

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Material Type: 文書・図像類
Title: スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究
Author/Editor: 畑, 朋延
Hata, Tomonobu
Author Heading: 畑, 朋延
Hata, Tomonobu
Publication Date: 2003-09-16
Publication Date (W3CDTF): 2003-09-16
Alternative Title: Development Research of Appratus for Artificial Lattice Utilizing Sputtering and Ion-Plating Combined Technique
Periodical title: 平成13(2001)年度科学研究費補助金基盤研究(B) 研究概要 = 2001 Research Project Summary
No. or year of volume/issue: 1999 – 2001
Volume: 1999 – 2001
Pages: 2p.-
Text Language Code: jpn
Subject Heading: スパッタリング
薄膜
金属モード
高誘電率材料
制限反応
ZrO_2
MOSFET
フラッシュ蒸着法
エピキシャル成長
β-FeSi_2
人工超格子
ヘテロエピタキシャル
フラッシュ蒸着
SiGe
イオンプレーラィレグ
ヘテロエピタキシャル成長
反応性スパッタリング
イットリア安定化ジルコニア
S:Ge(シリコンゲルマニウム)
Sputtering
Thin Film
Metallic Mode
High-k Material
Limitted Reaction
ZrO2
Target Audience: 一般
Note (General): 金沢大学工学部
制限反応スパッタリングと名付けた新しいスパッタリング法を研究開発した.この技法を用いて,次世代MOSFET用ゲート絶縁膜としてZrO2誘電体膜を形成した.Si基板表面の酸化が抑制され20を越える高い比誘電率が得られた.酸化物ターゲットを用いた通常のスパッタリング法では酸素イオンや活性種が励起されSi基板は直ちに酸化してしまうが,この堆積法では,そのような酸化種が発生しないので,Si基板とその上の堆積膜の界面は急峻に形成できる.
A new sputtering film deposition method, named Limited Reaction Sputtering Technique, was developed and investigated. Using this technique, ZrO2 dielectric films were synthsized for gate materials of next generation MOSFETs. The Si substrate surface oxidation was suppressed consequently a high specific dielectric constant as high as over 20 was obtained. On conventional sputtering technique using oxide target, oxigen ions and radicals are easily to be generated, thus Si is oxidized significantly. However, this teconique does not genarate them, resulting in clear interface between Si substrate and deposited films.
研究課題/領域番号:11555086, 研究期間(年度):1999 – 2001
出典：「スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究」研究成果報告書　課題番号11555086（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））（https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-11555086/）を加工して作成
Source: https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=57272&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=57272&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
Access Restrictions: 限定公開
Rights (production): CC BY-NC-ND
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Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA