スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究

• Material Type: 規格・テクニカルリポート類
• Title: スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究
• Author/Editor: Hata, Tomonobu; 畑, 朋延
• Author Heading: Hata, Tomonobu; https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?qm=50019767; 畑, 朋延
• Publication Date: 2003-09-16
• Publication Date (W3CDTF): 2003
• Alternative Title: Development Research of Appratus for Artificial Lattice Utilizing Sputtering and Ion-Plating Combined Technique
• Periodical title: 平成13(2001)年度 科学研究費補助金 基盤研究(B) 研究概要
• No. or year of volume/issue: 1999 – 2001
• Volume: 1999 – 2001
• Pages: 2p.-
• Target Audience: 一般
• Note (General): 出版タイプ： AM; 研究課題/領域番号:11555086, 研究期間(年度):1999 – 2001; 出典：「スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究」研究成果報告書 課題番号11555086 （KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所）） （https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-11555086/）を加工して作成; 金沢大学工学部
• Access Restrictions: インターネット公開
• Related Material: https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?kw=50019767; https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-11555086/
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA

• Summary, etc.: 制限反応スパッタリングと名付けた新しいスパッタリング法を研究開発した.この技法を用いて,次世代MOSFET用ゲート絶縁膜としてZrO2誘電体膜を形成した.Si基板表面の酸化が抑制され20を越える高い比誘電率が得られた.酸化物ターゲットを用いた通常のスパッタリング法では酸素イオンや活性種が励起されSi...