文書・図像類

トンネル現象を用いた接合界面での奇周波数クーパー対に関する研究

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トンネル現象を用いた接合界面での奇周波数クーパー対に関する研究

Material type
文書・図像類
Author
重田, 出
Publisher
鹿児島大学
Publication date
-
Material Format
Digital
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

2008-2011年度科学研究費助成事業(科学研究費補助金(若手研究(B)))研究成果報告書 課題番号:21740259 研究代表者:重田出 (鹿児島大学大学院理工学研究科(理学系)助教)本研究は強磁性体と超伝導体の接合界面において奇周波数クーパー対の生成を検証することを目標に開始し,以下の成果を得...

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Digital

Material Type
文書・図像類
Author/Editor
重田, 出
Author Heading
Publication, Distribution, etc.
Alternative Title
Study on odd frequency Cooper pairs at junction interfaces in tunneling phenomena
Text Language Code
jpn
Target Audience
一般
Note (General)
2008-2011年度科学研究費助成事業(科学研究費補助金(若手研究(B)))研究成果報告書 課題番号:21740259 研究代表者:重田出 (鹿児島大学大学院理工学研究科(理学系)助教)
本研究は強磁性体と超伝導体の接合界面において奇周波数クーパー対の生成を検証することを目標に開始し,以下の成果を得た。1. 第一原理バンド計算からハーフメタルであると期待されるホイスラー合金Co_{2-x}Fe_{x}MnSiとRu_{2-x}Fe_{x}CrSiを合成し,それらがハーフメタルの候補であることを明らかにした。2. ホイスラー合金Co_{2-x}Fe_{x}MnSiのスピン分極率が組成xに依存せず,約50%であることを明らかにした。3. ホイスラー合金Ru_{2-x}Fe_{x}CrSiを合成のスピン分極率がx=1.8のときに最大の63%であることを明らかにした。4. 奇周波数を閉じ込める目的で,MgO基板上にフルエピタキシャルNbN/Co_{2}MnSiとNbN/Co_{2}FeSi多層膜とそのナノ接合を作製することに成功した。5. NbN/Co_{2}MnSiナノ接合の微分コンダクタンス測定において大きなゼロバイアスピークを観測した。この現象は拡張Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK)理論では説明ができず,接合界面での奇周波数クーパー対の生成の可能性を示唆する。
In this work, I have studied on odd frequency Cooper pairs at junction interfaces between a ferromagnet and a superconductor. I have clarified several topics as follows: 1. I synthesized Heusler alloys Co_{2-x}Fe_{x}MnSi and Ru_{2-x}Fe_{x}CrSi, which are expected as half-metal by the first-principles band calculations. Those materials are candidates of half-metal. 2. The spin polarization of Co_{2-x}Fe_{x}MnSi is independent of composition x and is equal to approximately 50%. 3. The spin polarization of Ru_{2-x}Fe_{x}CrSi is maximum value of 63% in the case of x=1.8. 4. I succeed in fabricating fully-epitaxial NbN/Co_{2}MnSi and NbN/Co_{2}FeSi bilayers and those nano-junctions in order to trap the odd frequency Cooper pairs. 5. I observed a large zero-bias peak in differential conductance of NbN/Co_{2}MnSi nano-junctions. The phenomenon are not explained by the modified Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK) model and indicates generations of odd frequency pairs at the junction interface.