JT-60負イオンNBI加熱装置電源設備の長パルス化改造検討

• Material Type: 文書・図像類
• Title: JT-60負イオンNBI加熱装置電源設備の長パルス化改造検討
• Author/Editor: 薄井 勝富; 能登 勝也; 河合 視己人; 大賀 徳道; 池田 佳隆
• Author Heading: 薄井 勝富; 能登 勝也; 河合 視己人; 大賀 徳道; 池田 佳隆
• Publication Date: 2008-08
• Publication Date (W3CDTF): 2008-08
• Alternative Title: Modification of power supplies in the negative-ion-based NBI system for a 100s operation in JT-60SA
• Periodical title: JAEA-Technology 2008-053
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): JT-60の超伝導化装置であるJT-60SAでは、負イオンNBI装置(以下N-NBI装置)のビームパルス幅を現行の30秒から100秒に延ばすことが要求されている。N-NBI装置は1ユニットで2つのイオン源を有しており、1イオン源あたりの中性粒子ビーム入射パワーは5.0MW、ビームエネルギーは-500keVである。長パルス化においては、既存の短パルス用電源設備を最小限の改造で100秒の長パルス運転を可能とすることが求められている。今回、N-NBI装置の電源設備の100秒化に向けて、保護協調の観点及び主要機器の熱設計を中心に、改造が必要な箇所の抽出を行った。2003年に実施した30秒化改造とその後の運転実績をもとに検討を進めた。その結果、加速電源については、既設GTO(Gate Turn-off thyristor)と新設・追加するIEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)との組合せによる出力電圧制御方式に変更することで100秒化への対応が可能であることを明らかにした。5種類の負イオン生成部電源については、ダミー抵抗器等の容量の増強や冷却能力強化により、100秒運転についてのおおよその目途がたった。; The JT-60 negative ion-based NBI (N-NBI) system is required to extend the pulse duration from 30s to 100s in JT-60SA that is the modified JT-60U with full superconducting coils. The JT-60SA N-NBI system will have 2 ion sources, each of which will inject 5 MW at 500 keV. The present power supply system should be upgraded to operate for 100s with minimizing the modification of existing components. The protective characteristic and thermal capacities of the power supply components were assessed based on the experience of the modification for the 30s operation in 2003. The acceleration power supply is to be modified with combination of existing Gate Turnoff Thyristors (GTO) and Injection Enhanced Gate Transistors (IEGT) added newly. Five power supplies for a plasma production in the negative ion sources are to be modified by increasing the capacities of the partial resistance and cooling systems. These modifications can allow the long pulse operation of 100 for JT-60SA N-NBI system.
• Source: /JAEA-Technology-2008-053.pdf （fulltext）; https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAEA-Technology-2008-053.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 日本原子力研究開発機構 : JOPSS:JAEA Originated Papers Searching System

• Summary, etc.: JT-60の超伝導化装置であるJT-60SAでは、負イオンNBI装置(以下N-NBI装置)のビームパルス幅を現行の30秒から100秒に延ばすことが要求されている。N-NBI装置は1ユニットで2つのイオン源を有しており、1イオン源あたりの中性粒子ビーム入射パワーは5.0MW、ビームエネルギーは-500...