JMTRを用いたシリコン半導体製造装置の概念検討

• Material Type: 文書・図像類
• Title: JMTRを用いたシリコン半導体製造装置の概念検討
• Author/Editor: 細川 甚作; 菅野 勝; 坂本 太一
• Author Heading: 細川 甚作; 菅野 勝; 坂本 太一
• Publication Date: 2008-06
• Publication Date (W3CDTF): 2008-06
• Alternative Title: Conceptual study of silicon semiconductor production facility in JMTR
• Periodical title: JAEA-Technology 2008-038
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 日本原子力研究開発機構大洗研究開発センターでは、2011年度に材料試験炉(以下、JMTRという。)を再稼働させる予定で改修計画が進められている。再稼働後におけるJMTRの有効利用の一環としてシリコン半導体の製造を検討している。シリコン半導体は今や世界各国、さまざまな産業分野で使用されており、最近は、大口径シリコン半導体(シリコンウェーハ)の需要が高まってきている。シリコン半導体を製作するには、さまざまな方法があるが、ここでは、大洗研究開発センターのJMTRにおいてNTD法(Neutron Transmutation Doping)を用いたシリコン半導体の製造について検討を行った。本報告では、JMTRへ設置予定のシリコン半導体製造装置の概念検討をまとめたものである。; At Oarai Research and Development Center, Japan Atomic Energy Agency (JAEA) advances the plan of refurbishing Japan Materials Testing Reactor (JMTR) to start the operation in fiscal 2011. Silicon Semiconductor is used in every Country and every industrial field. Nowadays, the demand of large diameter Silicon Semiconductors are increasing. At JMTR in JAEA Oarai, the production of Silicon Semiconductors utilizing NTD (Neutron Transmutation Doping) Method is investigated. Particularly, this report describes the installation of Silicon Semiconductors producing facility on JMTR. This Report described the Conceptual Study for Silicon Semiconductor Irradiation Facility in JMTR.
• Source: /JAEA-Technology-2008-038.pdf （fulltext）; https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAEA-Technology-2008-038.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 日本原子力研究開発機構 : JOPSS:JAEA Originated Papers Searching System

• Summary, etc.: 日本原子力研究開発機構大洗研究開発センターでは、2011年度に材料試験炉(以下、JMTRという。)を再稼働させる予定で改修計画が進められている。再稼働後におけるJMTRの有効利用の一環としてシリコン半導体の製造を検討している。シリコン半導体は今や世界各国、さまざまな産業分野で使用されており、最近は、...