エチルトリクロロシランを用いたCVD-SiCの熱力学計算

• Material Type: 文書・図像類
• Title: エチルトリクロロシランを用いたCVD-SiCの熱力学計算
• Author/Editor: 中野 純一; 山田 禮司
• Author Heading: 中野 純一; 山田 禮司
• Publication Date: 1995-06
• Publication Date (W3CDTF): 1995-06
• Alternative Title: Thermodynamic calculations for chemical vapor deposition of silicon carbide using ehyltrichlorosilane
• Periodical title: JAERI-Research 95-045
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 自由エネルギー最小化法に基づく化学平衡状態計算プログラムSOLGASMIX-PVを用いて、C$_{2}$H$_{5}$SiCl$_{3}$-H$_{2}$-Ar系の化学蒸着(CVD)に関して熱力学計算を行い、CVD状態図を得た。C$_{2}$H$_{5}$SiCl$_{3}$-H$_{2}$系では、$\beta$-SiC+C、$\beta$-SiC、$\beta$-SiC+Si(l)、Si(l)、$\beta$-SiC+Si(s)、およびSi(s)が蒸着する領域が存在することがわかった。C$_{2}$H$_{5}$SiCl$_{3}$Ar系では、$\beta$-SiC+CおよびCが蒸着することがわかった。これらの計算結果と報告されている蒸着実験結果とを比較した結果、$\beta$-SiC+Cが蒸着すると計算された領域において、$\beta$-SiC+C、$\beta$-SiC、または$\beta$-SiC+Si(s)が蒸着することがわかった。CVDにおける最適なガスのモル比と蒸着温度に関しては、(Ar+H$_{2}$)/C$_{2}$H$_{5}$SiCl$_{3}$モル比1000~10000、Ar/H$_{2}$モル比0.43~0.15、蒸着温度1100~1500Kのときに、原料のSi原子は最も効率よく$\beta$-SiCとして蒸着し、$\beta$-SiC単相を生成することが明らかになった。
• Source: /JAERI-Research-95-045.pdf （fulltext）; https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-Research-95-045.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 日本原子力研究開発機構 : JOPSS:JAEA Originated Papers Searching System

• Summary, etc.: 自由エネルギー最小化法に基づく化学平衡状態計算プログラムSOLGASMIX-PVを用いて、C$_{2}$H$_{5}$SiCl$_{3}$-H$_{2}$-Ar系の化学蒸着(CVD)に関して熱力学計算を行い、CVD状態図を得た。C$_{2}$H$_{5}$SiCl$_{3}$-H$_{2}$系では、...