重イオン照射によるポリイミドの細溝形成; 電子実装基板用ポリイミド

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 重イオン照射によるポリイミドの細溝形成; 電子実装基板用ポリイミド
• Author/Editor: 松本 安世; 松浦 裕紀; 日比野 豊; 川上 幸一; 古牧 睦英; 石川 二郎; 桜井 勉; 立川 圓造
• Author Heading: 松本 安世; 松浦 裕紀; 日比野 豊; 川上 幸一; 古牧 睦英; 石川 二郎; 桜井 勉; 立川 圓造
• Publication Date: 1993-10
• Publication Date (W3CDTF): 1993-10
• Alternative Title: Microchannel formation in polyimide by heavy ion irradiation; For the electric packaging board
• Periodical title: JAERI-M 93-196
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 銅板熔着のポリイミド膜にマスク越しに重イオンを照射した後エッチングし、切断面の顕微鏡写真をとり、溝の形成と重イオン照射条件、エッチング剤、エッチング速度などとの関係を検討した。エッチング剤として次亜塩素酸ナトリウム水溶液、鋭角的な溝の形成には重い質量のイオン照射(10$^{10}$~10$^{12}$/cm$^{2}$)が効果的であった。エッチングに先立ち、ガンマ線を1MG$_{y}$以上照射するとエッチング溝が改良された。ポリイミド内に残るイオンを、エッチング後放射化分析法により調べた。イオンの入射エネルギーに相当する飛程部分の溶出後も、残留イオンが認められた。飛程の計算値より10\%程深く溝を溶解すると、残留イオンは検出感度以下となる。ESCA測定によって、イミド基が照射によって分解し、C=0,CO及びCN基が増大してエッチングされ易くなると結論された。
• Source: /JAERI-M-93-196.pdf （fulltext）; https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-M-93-196.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 日本原子力研究開発機構 : JOPSS:JAEA Originated Papers Searching System

• Summary, etc.: 銅板熔着のポリイミド膜にマスク越しに重イオンを照射した後エッチングし、切断面の顕微鏡写真をとり、溝の形成と重イオン照射条件、エッチング剤、エッチング速度などとの関係を検討した。エッチング剤として次亜塩素酸ナトリウム水溶液、鋭角的な溝の形成には重い質量のイオン照射(10$^{10}$~10$^{12}...