エピタキシャル成長3C-SiCにおける1MeV電子線照射誘起欠陥

• Material Type: 文書・図像類
• Title: エピタキシャル成長3C-SiCにおける1MeV電子線照射誘起欠陥
• Author/Editor: 伊藤 久義; 早川 直宏; 梨山 勇; 作間 栄一郎
• Author Heading: 伊藤 久義; 早川 直宏; 梨山 勇; 作間 栄一郎
• Publication Date: 1989-07
• Publication Date (W3CDTF): 1989-07
• Alternative Title: 1MeV-electron irradiation induced defects in epitaxially grown 3C-SiC
• Periodical title: JAERI-M 89-094
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Note (General): 化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)法によりSi上にエピタキシャル成長させて作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶に対し、その1MeV電子線照射効果を電子スピン共鳴法を用いて調べた。その結果、電子線照射により3C-SiC中に4種類の常磁性欠陥(T1~T4センター)が誘起されることが判明した。T1センターは等間隔で分離した(分離幅約1.5G)等方的な5本線で構成され、そのg値は2.0029$\pm$0.0001であることが見いだされた。また、T2センターは100以下の低温で出現し異方性を持つこと、並びにT3及びT4センターは室温において検出され異方性を示すことが解った。さらに、電子線照射3C-SiCの等時アニールの結果、T1センターのアニール過程において3種類のステージ(150$^{\circ}$C、350$^{\circ}$C、750$^{\circ}$C)が存在することが明らかになった。一方、T3、T4センターについては各々100$^{\circ}$C、350$^{\circ}$Cにアニールステージを持つことが見いだされた。
• Source: /JAERI-M-89-094.pdf （fulltext）; https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-M-89-094.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 日本原子力研究開発機構 : JOPSS:JAEA Originated Papers Searching System

• Summary, etc.: 化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)法によりSi上にエピタキシャル成長させて作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶に対し、その1MeV電子線照射効果を電子スピン共鳴法を用いて調べた。その結果、電子線照射により3C-SiC中に4種類の常磁性欠陥(T1~T4セ...